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口頭

波長ずれのあるスペクトルのニューラルネットワークによる解析

大場 正規

no journal, , 

LIBSなどで得られた多元素スペクトルデータの解析方法としてニューラルネットワークによる解析システムの構築を行っている。今回は測定に波長の揺らぎがありスペクトルの波長が少しずれた場合を想定し、波長を少しずらしたトレーニングデータを作成して学習させ、テストデータにも同様に波長をずらしたデータを用いて解析特性を調べた。その結果、波長ずれのないトレーニングデータで学習させ、波長ずれのあるテストデータを解析させた場合、各元素の含有率の真値と解析値の間に$$pm$$50%程度の大きな差があるが、波長ずれのあるトレーニングデータで学習させた場合、真値と解析値の差が$$pm$$20%程度に改善されていることが確認された。

口頭

同重体干渉抑制のためのイオンファネル反応セルの開発

神野 智史; 藤田 奈津子; 田沼 肇*

no journal, , 

加速器質量分析(AMS)では測定したい目的核種と同じ電荷をもつ同重体を分離して測定することが超高精度測定のための最大の課題となる。地質調査等の年代測定で有用な地下水に含まれる塩素-36($$^{36}$$Cl)を目的核種とした場合、硫黄-36($$^{36}$$S)がAMS測定における同重体干渉による妨害核種となる。一般に$$^{36}$$Clと$$^{36}$$Sを分離するには、6MV以上の加速電圧が必要であるが、原子力機構東濃地科学センターのAMS装置は5MV加速に留まる。そこで本研究は、$$^{36}$$Sを選択的に抑制することが出来るイオンファンネルを備えた反応セルを開発し、AMSシステムの低エネルギー側に組み込むことを提案する。

口頭

TlBrの結晶育成方向の結晶方位分布の観察

渡辺 賢一*; 人見 啓太朗*; 野上 光博*; 前田 茂貴; 尾鍋 秀明*

no journal, , 

TlBrは高い原子番号・密度、広いバンドギャップを有する化合物半導体で、室温動作可能かつ高い検出効率を有するガンマ線検出器材料として開発が進められている。現状での課題は、デバイス作製における歩留まりの向上であり、安定に高品質なデバイスを製作可能なプロセスの確立が求められている。結晶育成プロセスは、良質な検出器を製作する上で、最も重要なプロセスの一つであり、結晶がどのように育成されていくかを理解することは非常に重要である。今回は、結晶育成方向について、結晶方位分布を観察し、結晶成長に関する知見を得ることを試みた。

口頭

電子飛跡検出型コンプトカメラを用いたKUR炉建屋内の3次元ガンマ線分布イメージング試験

園田 真也*; 高田 淳史*; 谷森 達*; 津田 雅弥*; 田原 圭祐*; 小林 滉一郎*; 谷垣 実*; 谷口 秋洋*; 永井 晴康; 中山 浩成; et al.

no journal, , 

京都大学が開発中の電子飛跡検出型コンプトンカメラ(ETCC)は、ガンマ線の到来方向を一意に決定し定量性のあるガンマ線画像を取得できる唯一の検出器である。ETCCは2方向からの同時測定で定量的な3次元分布が得られることを見込んでいる。この新しい検出器の実証を行うため、京都大学複合原子力科学研究所にある原子炉炉室のキャットウォークから炉心を見下ろす方向にETCCを設置して炉室内のガンマ線分布を測定した。本講演ではイメージング分析結果を報告する。

口頭

トンネル磁気抵抗効果に及ぼすMnGa/CoMn界面への挿入層の影響

鈴木 和也; 水上 成美*

no journal, , 

正方晶Mn合金薄膜を用いた垂直磁気トンネル接合(p-MTJ)は、磁気ランダムアクセスメモリ、先端THz応用、センサーなどにおいて魅力的なp-MTJの1つである。特にp-MTJの重要な性能の1つは、室温での高いトンネル磁気抵抗である。これまで、Mn合金電極を用いたp-MTJのTMRは小さいことが報告されていたが、最近、反強磁性結合した極薄のMnGa/CoMn電極を用いて80%という高いTMRを達成した。今回、MnGa/CoMn界面に極薄の挿入層を導入することにより、室温で100%以上のTMRを達成したことを報告する。

口頭

ゲルマネンの酸化と超高真空中加熱還元

鈴木 誠也; 勝部 大樹*; 矢野 雅大; 津田 泰孝; 寺澤 知潮; 朝岡 秀人; 柚原 淳司*; 吉越 章隆

no journal, , 

ゲルマネンはゲルマニウム(Ge)の単原子ハニカムシートで、トポロジカルな性質を利用した電子デバイス応用が期待される。ゲルマネンは超高真空下でAu, Al, Agなどの単結晶表面に合成できるが、大気中で酸化してしまうため応用が困難である。我々の研究チームでは、ゲルマネンのデバイス化を実現するために絶縁体/ゲルマネン界面の形成に焦点を当てている。本研究では、Ag(111)/Ge(111)基板から超高真空中での加熱(約500$$^{circ}$$C)で析出したゲルマネン(初期析出: initial growth)を酸化させ、清浄な酸化物/ゲルマネン界面の形成を目指した。さらに初期析出したゲルマネンを一旦酸化後、超高真空中で加熱することでGe酸化物が消失し、ゲルマネンを再度形成できることが分かった。この再形成したゲルマネンの表面は、炭素不純物が初期成長時より少なく、酸化ゲルマネンの加熱還元によって清浄なゲルマネンを形成可能であることが分かった。発表では酸素雰囲気中加熱の影響や、大気曝露の影響についても報告する。

口頭

ガンマ線三次元影を用いた全方向イメージング技術の検討

北山 佳治; 野上 光博*; 人見 啓太朗*

no journal, , 

本研究ではガンマ線の三次元影を機械学習を用いてデコードすることで、8chの検出器と簡単な計数回路だけでガンマ線の全方向イメージングが可能となる新手法を提案した。本手法の角度分解能は既存のイメージャーと同等以上であり、定量性も高いことが本研究により示された。本手法は遮蔽体と検出器の材質やサイズを適切に選択することで、広いエネルギー範囲において環境レベルから炉内等の超高線量場まで幅広く適用が可能である。本手法の検出器形状を問わないという特異な性質はイメージャーの設置場所が限られるような状況で有利に働く。本手法は廃炉,医療,宇宙観測等の極めて多くの分野への応用が期待できると考えられる。

口頭

分子状吸着O$$_2$$によるSiO$$_2$$/Si(001)界面酸化反応過程の分岐

津田 泰孝; 吉越 章隆; 小川 修一*; 坂本 徹哉*; 高桑 雄二

no journal, , 

Siドライ酸化によるSiO$$_2$$膜の成長は、O$$_2$$分子がSiO$$_2$$表面に吸着し、SiO$$_2$$内部を拡散した後、SiO$$_2$$/Si界面で解離することで進行する。我々の提案した点欠陥発生を介した統合Si酸化反応モデルでは、界面酸化がLoop A(1段階、高速)とLoop B(2段階、低速)の2つの反応経路で進むことを示した。しかし、2つのLoopの分岐がどのように起こるかは不明であった。本発表では、超音速O$$_2$$分子線(SOMB)によるn-Si(001)の酸化過程をX線光電子分光法(XPS)によりリアルタイムで測定することで、界面反応における分子状吸着酸素の役割を明らかにする。また、本研究により、品質の良いSiO$$_2$$の作製条件が決定できる可能性も示した。

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